Жарым негиздери
жалпы көрүнүш
Заманбап технология Semiconductors деп аталган материалдардын бир класска урматында мүмкүн болот. Бардык активдүү компоненттер, интегралдык микросхемалардын топологиялары, микрочиптерди, транзисторлар, ошондой эле көптөгөн сенсорлор жарым өткөргүч материалдар менен куруп жатат. кремний электрик колдонулган кеъири пайдаланылган жана жакшы белгилүү жарым өткөргүч материал болуп саналат, ал эми жарым өткөргүчтөр бир катар Германюмдун, Схемада арсениддер, Силикон карбидин, ошондой эле органикалык жарым өткөргүчтөр, анын ичинде колдонулат. Ар бир материалдык мындай чыгымдар / аткаруу катышы, жогорку ылдамдыкта пайдалануу, жогорку температуранын, же сигнал каалаган жооп катары столго бир артыкчылыктарды алып келет.
Semiconductors
Semiconductors пайдалуу кылат кандай так өндүрүш учурунда электрдик өзгөчөлүктөрүн жана жүрүм-турумуна контролдук кылууга жөндөмдүүлүгү. Жарым касиеттери башкача таасир өндүрүүчү ар кандай кошулмалар менен байытуу менен, допинг деген жараяны аркылуу Жарым-жылы кошулмалар чакан суммаларды кошуу менен башкарылат. допинг көзөмөлдөө менен, бир жолу Жарым аркылуу электрдик бурайт алдын алууга болот.
типтүү дирижер-жылы, жез сыяктуу, электрондор учурдагы жүргүзүүгө жана акы жүгүн ташуучу катары иш-аракет. Жылы жарым эки электрон жана "тешик" электрондон жоктугу, акысыз ташуучу катары иш-аракет жасашат. Жарым өткөргүчтүгүн, жана акысыз ташуучунун допинг көзөмөлдөө менен негизделген же электрондук же тешик болуп жараша болот.
допинг, N-түрү жана P-типтеги эки түрү бар. N-түрү dopants, адатта Phosphorus же эл, бир Жарым кошулуп жатканда кошумча акысыз электрон камсыз беш электрон бар. электрондор терс заряддуу ээ болгондуктан, материалдык ушундай N-түрү деп аталат леген. Мындай бор менен галийдин катары P-түрү dopants гана натыйжалуу бир тешик бар же оң заряддуу, демек, аты-жөнү P-түрүн түзүүгө жарым өткөргүч кристалдуу электрондон турган, жок алып, үч электрон бар. Эки N-түрү жана P-түрү dopants, атүгүл кичинекей санда бир жарым өткөргүч татыктуу алып баруучу болот. Бирок, N-түрү жана P-түрү Semiconductors эле татыктуу өткөргөн болсо, өзүнөн-өзү өтө өзгөчө эмес. Бирок, бири-бири менен байланышып, аларды кийин, бир PN ыргыган түзүү, сиз кээ бир абдан ар түрдүү жана өтө пайдалуу жүрүш керек.
PN Junction Diode
А PN кесилиш, ар бирин өз-өзүнчө материалдык айырмаланып, дирижёр сыяктуу иш-аракет кылбайт. Ал эки багытта агып учурдагы жол бербей, бир PN бүтүмүн гана негизги диод түзүп, бир багытта агып учурдагы берет. алдыга багытта (алдыга тараптуулук) бир PN кесилишинде боюнча бир Voltage колдонуу N-түрү аймактагы электрондор P-түрү аймактагы тешик менен биригип жардам берет. диод аркылуу (жан кайтарым) учурдагы агымын өзгөртө аракет кесилишинде аркылуу аккан учурдагы алдын алуу өзүнчө электрон менен тешиктерди мажбурлайт. башка жолдор менен ПС түшчү айкалыштыруу сыяктуу транзистордон башка өткөргүч компоненттердин эшигин ачат.
Transistors
Негизги жүрмө үч N-түрү жана P-түрү материалдарын эки бир диод колдонулган эмес кесилишинде айкалыштыруу жасалат. биополярдык бүтүмүн транзисторлорго же BJTs деп аталат NPN жана PNP транзисторлар бул материалдарды айкалыштыруу берет. борбору, база, аймак Митико жүрмө өтүү же айлык акыга кошумча катары иш-аракет кылууга мүмкүндүк берет.
NPN жана PNP жатканда транзисторлар эки багытта агып бардык учурдагы бөгөт турган эки далысы менен жайгаштырылган диоддордун, болушу мүмкүн. борбору катмары кичинекей учурдагы борбору катмары аркылуу ушунчалык чыдамсыздык менен бир жактуу болсо, борбор катмары өзгөрүшү менен пайда диод касиеттери бир кыйла ири учурдагы бүт аппарат аркылуу агып уруксат берүү үчүн. Бул жүрүм-турум жөндөмүн бир Transistor берет чакан заряддарды күчөтүш үчүн жана өчүрүү же учурдагы булагы айланып өтүү катары иш-аракет кылат.
транзисторлорго жана башка Жарым өткөргүч приборлору түрлөрүнүн ар түрдүү көзөмөлгө диоддордун алууга, атайын милдети транзисторлорго тартып, ар кандай жолдор менен бир катар PN түшчү бириктирүү аркылуу жүргүзүлүшү мүмкүн. PN түшчү кылдат биригишинен жасалган компоненттерин төмөнкүдөй бир канчасы гана.
- DIAC
- Лазердик диод
- Light-чыгаруучу диод (LED)
- диод диод
- Дарлингтон жүрмө
- Талаа-натыйжалык жүрмө, анын ичинде MOSFETs,
- IGBT жүрмө
- Кремний көзөмөлдөгөн түзөткүч (SCR)
- Интегралдык микросхема (а.и.)
- чычкан
- Digital Memory - RAM жана ROM
сенсорлор
Semiconductors жол учурдагы контролдоо тышкары, алар да натыйжалуу сенсорлор үчүн бир өзгөчөлүгү бар. Алар температура, басым жана жарыкты өзгөртүү сезимталдык менен жүргүзүлүшү мүмкүн. каршылык өзгөртүү жарым-өткөрүүчү сенсор үчүн жооп таралган түрү болуп саналат. жарым өткөргүч касиети менен мүмкүн болгон сенсорлор түрлөрүнүн бир нече төмөндө келтирилген.
- Hall таасир сенсор (магнит талаасы сенсор)
- Thermistor (resistive температурасы сенсор)
- Аеропортунан / CMOS (сүрөтү сенсор)
- Photodiode (жарык сенсор)
- Photoresistor (жарык сенсор)
- Piezoresistive (басым / штаммды сенсорлор)